硅薄膜作为薄膜太阳能电池的核心材料越来越引起人们的重视, 非晶硅薄膜太阳能电池由于存在转换效率低和由 S-W 效应引起的效率衰退等问题, 而微晶硅薄膜具有较高电导率、较高载流子迁移的电学性质及优良的光学稳定性, 可以克服非晶硅薄膜的不足, 已成为光伏领域的研究热点.
采用磁控溅射沉积硅薄膜不需要使用 SiH4 等有毒气体及相应的尾气处理装置, 有利于降低设备成本, 且工艺参数容易控制, 因此经过伯东工程师推荐, 长沙某大学实验室课题租在研究微晶硅薄膜时, 采用伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 辅助磁控溅沉积制备微晶硅薄膜.
KRI 射频离子源 RFICP380 技术参数:
射频离子源型号 | RFICP380 |
Discharge 阳极 | 射频 RFICP |
离子束流 | >1500 mA |
离子动能 | 100-1200 V |
栅极直径 | 30 cm Φ |
离子束 | 聚焦, 平行, 散射 |
流量 | 15-50 sccm |
通气 | Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
典型压力 | < 0.5m Torr |
长度 | 39 cm |
直径 | 59 cm |
中和器 | LFN 2000 |
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试验结果:
在实验中, 通过伯东 KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 辅助磁控溅沉积的方法, 可以在玻璃衬底上制备出结晶良好的微晶硅薄膜.
KRI 离子源的独特功能实现了更好的性能, 增强的可靠性和新颖的材料工艺. KRI 离子源已经获得了理想的薄膜和表面特性, 而这些特性在不使用 KRI 离子源技术的情况下是无法实现的.
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